2003 Mar 25 4
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAV170
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-tp
thermal resistance from junction to tie-point
360
K/W
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
500
K/W
GRAPHICAL DATA
Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
(1) Single diode loaded.
(2) Double diode loaded.
Fig.2 Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpage300
0
0 100
IF
(mA)
200
100
200
MBG521
Tamb
(
oC)
(1)
(2)
Fig.3 Forward current as a function of forward
voltage; per diode.
handbook, halfpage300
0
0 1.60.4
0.8 1.2
V (V)F
100
200
MLB752 - 1
IF
(mA)
(1)
(2)
(3)
(1) Tj = 150 °C; typical values.
(2) Tj = 25 °C; typical values.
(3) Tj = 25 °C; maximum values.
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